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Exibindo um único resultado
- Tecnologia FRAM – 10 trilhões de ciclos de escrita (sem desgaste)
- Alta capacidade – 1 MByte em um único chip
- Retenção de dados – 10 anos (85°C) até 200+ anos (35°C)
- Baixo consumo – 2.6 mA (ativo) / 3.5 μA (standby)
- Interface SPI rápida – 40 MHz para transferência eficiente
- Robusto – Opera em -40°C a +85°C
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