RAK 15007 (Módulo de Memória FRAM NVRAM 1MB Infineon CY15B108QN)

Model: RAK15007
SKU: 100138
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SKU: 100138 Categories: , Tag: Marca:
  • Tecnologia FRAM – 10 trilhões de ciclos de escrita (sem desgaste)
  • Alta capacidade – 1 MByte em um único chip
  • Retenção de dados – 10 anos (85°C) até 200+ anos (35°C)
  • Baixo consumo – 2.6 mA (ativo) / 3.5 μA (standby)
  • Interface SPI rápida – 40 MHz para transferência eficiente
  • Robusto – Opera em -40°C a +85°C

 

 

 

Descrição

Módulo FRAM RAK15007 é a solução ideal para aplicações que exigem armazenamento de dados confiável e de alto desempenho, sem as limitações de tecnologias tradicionais como EEPROM ou Flash. Com o chip Infineon CY15B108QN, este módulo oferece 1 MByte de capacidade (uma das maiores em FRAM) e 10 trilhões de ciclos de escrita, garantindo que seus dados e configurações sejam preservados mesmo em caso de queda de energia. Perfeito para coleta de dados sensíveis, configurações de dispositivos e logs críticos, o RAK15007 elimina preocupações com desgaste de memória ou perda de informações.

Com baixíssimo consumo de energia (2.6 mA em operação e 3.5 μA em standby) e interface SPI de 40 MHz, este módulo é otimizado para sistemas IoT industriais que operam em temperaturas extremas (-40°C a +85°C). Sua retenção de dados ultralonga (10 anos a 85°C, 200+ anos a 35°C) e tamanho compacto (10×10 mm) o tornam indispensável para automação industrial, smart grids e dispositivos de missão críticaArmazene sem limites e com total segurança!

Datasheet, clique aqui para baixar.

Faixa de Temperatura-40 °C ~ +85 °C
InterfaceDigital compatível com SPI, suporta 40 MHz
Consumo em Operação2,6 mA (típico @ 40 MHz)
Consumo em Standby3,5 μA (típico em operação de leitura)
Capacidade1M palavras × 8 bits
Resistência de Leitura/Escrita10 trilhões de ciclos
Retenção de Dados10 anos (+85 °C), 95 anos (+55 °C), mais de 200 anos (+35 °C)
Dimensões do Módulo10 x 10 mm
RAK 15007 (Módulo de Memória FRAM NVRAM 1MB Infineon CY15B108QN)
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